DRAM baru Samsung, yang akan mulai diproduksi secara massal pada tahun 2023, akan mendukung komputasi, pusat data, dan aplikasi kecerdasan buatan generasi mendatang dengan kinerja terdepan di industri dan peningkatan efisiensi daya.
Memasuki tahun 2023, Samsung Electronics mengumumkan pengembangan DRAM DDR5 16-gigabit (Gb) yang dibangun menggunakan teknologi proses kelas 12-nanometer (nm) pertama, serta mengevaluasi kompatibilitas produk dengan AMD.
“Kami senang sekali lagi bermitra dengan Samsung, khususnya untuk memperkenalkan produk memori DDR5 yang dioptimalkan dan divalidasi pada platform ‘Zen’,” kata Joe Macri, Senior VP, Corporate Fellow and Customer, Computing and Graphics CTO di AMD.
Penggunaan material high-κ baru untuk meningkatkan kapasitas sel dan teknik desain eksklusif untuk meningkatkan karakteristik sirkuit kritis, serta dikombinasikan dengan litografi Extreme Ultraviolet (EUV) multi-layer memungkinkan peningkatan produktivitas wafer sebesar 20 persen pada DRAM ini.
DRAM kelas 12nm Samsung menggunakan standar DDR5 yang mampu menghasilkan kecepatan hingga 7,2 gigabit per detik (Gbps). Sebagai gambaran, DRAM ini mampu memproses dua film UHD 30 gigabyte (GB) hanya dalam satu detik. Kecepatan luar biasa ini juga disertai dengan efisiensi energi yang lebih besar. DRAM ini mengkonsumsi daya hingga 23 persen lebih sedikit dibanding DRAM generasi sebelumnya, sehingga bisa menjadi solusi bagi perusahaan IT untuk menghemat daya serta lebih ramah lingkungan.
Samsung berencana untuk memproduksi massal DRAM kelas 12nm pada tahun ini, sekaligus memperluas line-up produk DRAM pada beberapa segmen pasar menggunakan teknologi proses kelas 12nm ini. Samsung jugaterus melakukan kerja sama dengan mitra mereka untuk mendukung ekspansi industri teknologi.
